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型号 SI4435DYTRPBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4435DYTRPBF PDF
代理商 SI4435DYTRPBF
产品目录绘图 IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 4,000
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2320pF @ 15V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4435DYPBFTR
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